IPD04N03LB G
Номер детали производителя | IPD04N03LB G |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 |
Упаковка | PG-TO252-3-11 |
В наличии | 113269 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideMultiple Devices 04/Jun/2009IP(D,F,S,U)04N03LB G |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.461 | $0.377 | $0.33 | $0.31 | $0.306 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 113269 Infineon Technologies IPD04N03LB G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 70µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3-11 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 50A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 115W (Tc) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 5200 pF @ 15 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 40 nC @ 5 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 50A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPD04N |
Рекомендуемые продукты
-
IPD040N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-31Infineon Technologies -
IPD050N10NF2SATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPD052N10NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies -
IPD050N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3Infineon Technologies -
IPD050N03L G
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD046N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD053N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD042P03L3GBTMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3Infineon Technologies -
IPD040N08NF2SATMA1
MOSFETInfineon Technologies -
IPD042P03L3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3Infineon Technologies -
IPD053N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD040N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD04N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD050N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD053N06N3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD048N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD048N06L3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD040N03LG
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD053N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3Infineon Technologies -
IPD050N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31Infineon Technologies